La propuesta de valor comprende: a) permite la obtención de una película ultradelgada y homogénea de aluminio sobre la superficie de la película semiconductora de óxido de cinc (ZnO); b) produce una película ultradelgada de óxido de metal (AlOx) y, al mismo tiempo, promueve la difusión de los átomos de aluminio hacia la capa subyacente de ZnO, de esta manera aumenta la conductividad eléctrica volumétrica de ZnO; c) la película ultradelgada dieléctrica de AlOx modifica el nivel de Fermi de la capa de ZnO; d) la película dieléctrica AlOx sirve como una barrera física para prevenir las reacciones de ácido-base entre el ZnO y la perovskita. Las aplicaciones potenciales de la tecnología están en los campos de la óptica, electrónica y la energía, en dispositivos como las celdas solares de perovskita, diodos de emisión de luz, sensores, transistores, transmisores de efecto de campo, baterías, ventanas regulables, celdas de combustible, entre otros.